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器件Vishay Intertech

DG636EEN-T1-GE4

0.3 pC电荷注入, 100 pA泄漏电流CMOS±5V/5V/3V双SPDT模拟开关

关键参数

Ron96Ω
Operating Temperature-40℃~+125℃
Con8.4pF
Number of Channels2
Switch Circuit2:1
Voltage - Supply3V~16V
Bandwidth700MHz
Charge Injection0.3pC
FeaturesBidirectional analog channel、Glitch-free switching

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替代与关注项

暂无可比替代条目。器件替代涉及封装、参数与批次一致性,不做自动推荐;可到替代料匹配工具按参数做进一步比对。