关键参数
| Input Capacitance(Ciss) | 430pF |
|---|---|
| Type | P-Channel |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 620mV |
| Number | 1 P-Channel |
| Gate Charge(Qg) | 4.3nC@4.5V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 52pF |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.3A |
| Drain to Source Voltage | 20V |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF |
| Pd - Power Dissipation | 900mW |
替代与关注项
暂无可比替代条目。器件替代涉及封装、参数与批次一致性，不做自动推荐；可到替代料匹配工具按参数做进一步比对。
同品类同封装参考型号
按同一品类与同一封装筛出的在库型号，仅作选型线索；同封装不等于可替换，电气参数与批次一致性需逐项核对。
