关键参数
| Data Retention - TDR (Year) | 100 years |
|---|---|
| Operating Temperature | -40℃~+105℃ |
| Clock Frequency | 1MHz |
| Write Cycle Endurance | 2,000,000 Cycles |
| Access Time | 500ns、900ns |
| Standby Current | 1uA |
| Memory Size | 256Kbit |
| Voltage - Supply | 1.7V~5.5V |
| Features | Hardware write protection function、Noise suppression function、Built-in power-on |
| Write Cycle Time(Tw) | 5ms |
替代与关注项
暂无可比替代条目。器件替代涉及封装、参数与批次一致性，不做自动推荐；可到替代料匹配工具按参数做进一步比对。
同品类同封装参考型号
按同一品类与同一封装筛出的在库型号，仅作选型线索；同封装不等于可替换，电气参数与批次一致性需逐项核对。
