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器件EG Micro

EG3013S

大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片

关键参数

Operating Temperature-45℃~+125℃
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Current - Output High(IOH)800mA
Load TypeIGBT、MOSFET
Input Logic Level - Low-300mV~1V
Quiescent Current(Iq)4.5mA
Fall Time200ns
Rise Time400ns

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替代与关注项

暂无可比替代条目。器件替代涉及封装、参数与批次一致性,不做自动推荐;可到替代料匹配工具按参数做进一步比对。