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器件HXY MOSFET

HESD9B5VDA

双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流:8A@8/20us

关键参数

Operating Temperature-40℃~+125℃
TypeESD
Junction Capacitance15pF
Peak Pulse Power Dissipation (Ppp)80W@8/20us
Number of Channels1
level of protectionIEC 61000-4-2
Clamping Voltage8.5V
PolarityBidirectional
Peak Pulse Current (Ipp)8A@8/20us
Voltage - Breakdown5.6V

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替代与关注项

暂无可比替代条目。器件替代涉及封装、参数与批次一致性,不做自动推荐;可到替代料匹配工具按参数做进一步比对。

同品类同封装参考型号

按同一品类与同一封装筛出的在库型号,仅作选型线索;同封装不等于可替换,电气参数与批次一致性需逐项核对。