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| 参数 | SI2333DDS-T1-GE3-VBVBsemi Elec | |
|---|---|---|
| 封装 | SOT-23(TO-236) | |
| 库存 | 14 | |
| 单价 | 0.1093 USD | |
| 最小包装 | 1 | |
| 环保 | RoHS | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输入电容 | 835pF | |
| 类型 | P-Channel | |
| 栅极阈值电压 | 1.5V | |
| 数量 | 1 P-Channel | |
| 栅极电荷 | 10nC@4.5V | |
| 反向传输电容 | 155pF | |
| 连续漏极电流 | 4A | |
| 漏源电压 | 20V | |
| 输出电容 | 180pF | |
| 替代参考 | — |
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说明：器件参数为公开接口原值，产业条目为站内录入的少量精选；标签相同的项才对齐比较，正式选型请以厂商数据手册与板厂工艺确认为准。
